直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

下列是晶體的是（）。 

改良西門子法的顯著特點不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。