單項選擇題原位軸壓法測試部位宜選在墻體中部距樓、地面（）左右的高度處，槽間砌體每側(cè)的墻體寬度不應少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
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1.單項選擇題各類磚的取樣檢測，每一檢測單元不應少于（）；應按相應的產(chǎn)品標準，進行磚的抗壓強度試驗和強度等級評定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
2.單項選擇題磚柱和寬度小于（）的承重墻，不應選用有較大局部破損的檢測方法。
A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
3.單項選擇題砌體結(jié)構(gòu)所選用檢測方法和在墻體上選定測點，（）測點可以位于門窗洞口處。
A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
4.單項選擇題燒結(jié)磚回彈法檢測普通磚和燒結(jié)多孔磚強度適用范圍限于（）。
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
5.單項選擇題砂漿片局壓法檢測水泥石灰砂漿強度時砂漿強度范圍限于（）。
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題