A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
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A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運(yùn)輸?shù)忍攸c(diǎn),具有一定的優(yōu)越性,但采用手動加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強(qiáng)度分項(xiàng)系數(shù)修正,誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小,實(shí)測荷載值精度高
D.計(jì)算過程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結(jié)構(gòu)檢測的專業(yè)人士進(jìn)一步開發(fā)改進(jìn)。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
可用作硅片的研磨材料是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。