A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
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A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
A.原位軸壓法以其直觀方便無(wú)需取樣運(yùn)輸?shù)忍攸c(diǎn),具有一定的優(yōu)越性,但采用手動(dòng)加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會(huì)造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對(duì)槽間砌體的橫向約束作用靠強(qiáng)度分項(xiàng)系數(shù)修正,誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小,實(shí)測(cè)荷載值精度高
D.計(jì)算過(guò)程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結(jié)構(gòu)檢測(cè)的專(zhuān)業(yè)人士進(jìn)一步開(kāi)發(fā)改進(jìn)。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。