A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
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A.原位軸壓法以其直觀方便無(wú)需取樣運(yùn)輸?shù)忍攸c(diǎn),具有一定的優(yōu)越性,但采用手動(dòng)加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會(huì)造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對(duì)槽間砌體的橫向約束作用靠強(qiáng)度分項(xiàng)系數(shù)修正,誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小,實(shí)測(cè)荷載值精度高
D.計(jì)算過(guò)程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結(jié)構(gòu)檢測(cè)的專業(yè)人士進(jìn)一步開(kāi)發(fā)改進(jìn)。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
A.300
B.350
C.400
D.450
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
PN結(jié)的基本特性是()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
下列是晶體的是()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()