單項選擇題點荷法檢測時，每個測點處，宜取出（）個砂漿大片。
A.2
B.3
C.4
D.5
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1.單項選擇題原位雙剪法檢測時，對于測試步驟以下說法不正確的是（）。
A.測試時，應(yīng)將剪切儀主機放入開鑿好的孔洞中，并應(yīng)使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應(yīng)吻合開鑿孔洞過長時，在儀器尾部應(yīng)另加墊塊
C.加荷的全過程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀，應(yīng)勻速施加水平荷載，并應(yīng)直至試件和砌體之間產(chǎn)生相對位移，試件達到破壞狀態(tài)
2.單項選擇題砂漿回彈法在計算每個測位回彈值算術(shù)平均值時，應(yīng)精確到（）。
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
3.單項選擇題砂漿回彈法在每個測位內(nèi)，測碳化深度時，應(yīng)選擇3處灰縫，鑿出孔洞直徑約為（）。
A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
4.單項選擇題砂漿回彈法在每個彈擊點上，應(yīng)使用回彈儀連續(xù)彈擊（），記錄最后一次回彈值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
5.單項選擇題砂漿回彈法每個測位應(yīng)均勻布置（）彈擊點，選定彈擊點應(yīng)避開磚的邊緣、灰縫中的氣孔。
A.12個
B.15個
C.16個
D.18個
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題