單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法每個(gè)測(cè)位應(yīng)均勻布置（）彈擊點(diǎn)，選定彈擊點(diǎn)應(yīng)避開磚的邊緣、灰縫中的氣孔。
A.12個(gè)
B.15個(gè)
C.16個(gè)
D.18個(gè)
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1.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法彈擊點(diǎn)處應(yīng)磨掉表面砂漿，深度應(yīng)為（）。
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
2.單項(xiàng)選擇題位雙剪法檢測(cè)時(shí)，下列哪個(gè)部位可以布設(shè)測(cè)點(diǎn)（）。
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.完整墻體中部
D.獨(dú)立磚柱
3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法測(cè)試碳化深度時(shí)應(yīng)用濃度為（）的酚酞酒精溶液。
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
4.單項(xiàng)選擇題砂漿片試件的剪切測(cè)試，應(yīng)對(duì)試件勻速連續(xù)施加荷載，加荷速度不宜大于（），直至試件破壞。
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
5.單項(xiàng)選擇題砂漿片剪切法所用的砂漿測(cè)強(qiáng)儀上下刀片中心間距為（）。
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題