單項選擇題砂漿回彈法在每個彈擊點上，應(yīng)使用回彈儀連續(xù)彈擊（），記錄最后一次回彈值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
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1.單項選擇題砂漿回彈法每個測位應(yīng)均勻布置（）彈擊點，選定彈擊點應(yīng)避開磚的邊緣、灰縫中的氣孔。
A.12個
B.15個
C.16個
D.18個
2.單項選擇題砂漿回彈法彈擊點處應(yīng)磨掉表面砂漿，深度應(yīng)為（）。
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
3.單項選擇題位雙剪法檢測時，下列哪個部位可以布設(shè)測點（）。
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.完整墻體中部
D.獨立磚柱
4.單項選擇題砂漿回彈法測試碳化深度時應(yīng)用濃度為（）的酚酞酒精溶液。
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
5.單項選擇題砂漿片試件的剪切測試，應(yīng)對試件勻速連續(xù)施加荷載，加荷速度不宜大于（），直至試件破壞。
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題