A.30
B.45
C.60
D.75
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A.50kN
B.60kN
C.80kN
D.100kN
A.2
B.3
C.4
D.5
A.測試時(shí),應(yīng)將剪切儀主機(jī)放入開鑿好的孔洞中,并應(yīng)使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應(yīng)吻合開鑿孔洞過長時(shí),在儀器尾部應(yīng)另加墊塊
C.加荷的全過程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀,應(yīng)勻速施加水平荷載,并應(yīng)直至試件和砌體之間產(chǎn)生相對(duì)位移,試件達(dá)到破壞狀態(tài)
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。