A.120mm
B.120mm
C.140mm
D.160mm
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A.1萬塊
B.1.5萬塊
C.2萬塊
D.2.5萬塊
A.開槽釋放應(yīng)力
B.砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C.彈性模量
D.回彈模量
A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.同一墻體的各測點之間,水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個測區(qū)隨機布置的,n個測點,在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個測點(試件)
C.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6~10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測點:門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi),后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體;獨立磚柱和窗間墻
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()