A.開槽釋放應(yīng)力
B.砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C.彈性模量
D.回彈模量
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A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.同一墻體的各測(cè)點(diǎn)之間,水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個(gè)測(cè)區(qū)隨機(jī)布置的,n個(gè)測(cè)點(diǎn),在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個(gè)測(cè)點(diǎn)(試件)
C.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6~10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測(cè)點(diǎn):門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi),后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體;獨(dú)立磚柱和窗間墻
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列是晶體的是()。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
硅片拋光在原理上不可分為()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。