下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；