A、組砌方式
B、灰縫砂漿飽滿度
C、灰縫寬度
D、截面尺寸
E、垂直度及裂縫
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你可能感興趣的試題
A、塊材強度
B、砂漿強度
C、抹灰強度
D、砌體強度
A、推出法
B、單剪法
C、砂漿片剪法
D、點荷法和射釘法(貫入法)
A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法
A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過小
D、砌體質(zhì)量問題
A、一般情況下,用理論方法計算,即計算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標準值
B、樓層上的可變荷載標準值可根據(jù)實際情況確定,然后換算為壓應(yīng)力值
C、對于重要的鑒定性試驗,宜采用實測壓應(yīng)力值
D、對于重要的鑒定性試驗,宜采用實測破壞荷載值
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
可用作硅片的研磨材料是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()