A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過(guò)小
D、砌體質(zhì)量問(wèn)題
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A、一般情況下,用理論方法計(jì)算,即計(jì)算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實(shí)際情況確定,然后換算為壓應(yīng)力值
C、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測(cè)壓應(yīng)力值
D、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測(cè)破壞荷載值
A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
A、觀測(cè)破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測(cè)點(diǎn)位置
D、偏心
A、手動(dòng)油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架
A、挑梁下
B、應(yīng)力集中部位
C、墻梁的墻體計(jì)算高度范圍內(nèi)
D、哪里都可以
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
可用作硅片的研磨材料是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()