A、主控項(xiàng)目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗(yàn)合格
B、一般項(xiàng)目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗(yàn)合格，當(dāng)采用計(jì)數(shù)檢驗(yàn)時(shí)，除有專門要求外，一般項(xiàng)目的合格點(diǎn)率應(yīng)達(dá)到80%及以上，且不得有嚴(yán)重缺陷
C、僅隱蔽工程驗(yàn)收記錄
D、具有完整的施工操作依據(jù)和質(zhì)量驗(yàn)收記錄
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A、施工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
B、健全的質(zhì)量管理體系
C、施工質(zhì)量控制
D、質(zhì)量檢驗(yàn)制度
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m。
B、同一墻體上測點(diǎn)數(shù)不宜多于1個(gè)，測點(diǎn)數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、扁頂法應(yīng)與其他砌筑砂漿強(qiáng)度檢測或砌體抗剪強(qiáng)度檢測一同使用。
A、組砌方式
B、灰縫砂漿飽滿度
C、灰縫寬度
D、截面尺寸
E、垂直度及裂縫
A、塊材強(qiáng)度
B、砂漿強(qiáng)度
C、抹灰強(qiáng)度
D、砌體強(qiáng)度
A、推出法
B、單剪法
C、砂漿片剪法
D、點(diǎn)荷法和射釘法（貫入法）
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。