在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

可用作硅片的研磨材料是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列是晶體的是（）。