熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列是晶體的是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。