填空題垂直于波的傳播方向上的幾何尺寸與波長的比值越(),傳播速度越()。
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可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
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對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
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在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題