下列哪個不是單晶常用的晶向（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

可用作硅片的研磨材料是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。