CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

可用作硅片的研磨材料是（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

PN結(jié)的基本特性是（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。