鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。