載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）