下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

PN結(jié)的基本特性是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）