單項選擇題再結(jié)晶和重結(jié)晶都有晶核的形成和晶核的長大兩個過程,它們的主要區(qū)別在于是否有()的改變。
A、溫度
B、晶體結(jié)構(gòu)
C、應力狀態(tài)
D、以上答案都對
您可能感興趣的試卷
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題