如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

可用作硅片的研磨材料是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）