對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）