如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列是晶體的是（）。 

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

PN結(jié)的基本特性是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。