問答題請(qǐng)以PMOS晶體管為例解釋什么是襯偏效應(yīng)，并解釋其對(duì)PMOS晶體管閾值電壓和漏源電流的影響。
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為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題