光刻工藝的特點包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。