問(wèn)答題簡(jiǎn)述CVD工藝的的工藝流程
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1.問(wèn)答題熱生長(zhǎng)氧化物和CVD氧化物的本質(zhì)區(qū)別是什么？
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3.名詞解釋過(guò)刻蝕
4.名詞解釋負(fù)載效應(yīng)
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述IC芯片工藝過(guò)程中包括的刻蝕工藝過(guò)程
最新試題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題