下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

消除鳥嘴效應的方法有（）。