問(wèn)答題熱生長(zhǎng)氧化物和CVD氧化物的本質(zhì)區(qū)別是什么？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題半導(dǎo)體工藝中常用的三種CVD反應(yīng)器類型
2.名詞解釋過(guò)刻蝕
3.名詞解釋負(fù)載效應(yīng)
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述IC芯片工藝過(guò)程中包括的刻蝕工藝過(guò)程
5.名詞解釋通道效應(yīng)
最新試題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題