單項選擇題顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
A.負膠
B.正膠
C.光刻抗蝕劑
D.光阻
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1.單項選擇題MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
A.有源區(qū)
B.場區(qū)
C.襯底區(qū)
D.阱區(qū)
2.單項選擇題氧化層中摻雜了硼雜質(zhì)，一般稱為（）。
A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG
3.單項選擇題如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。
A.濕氧氧化
B.氫氧合成
C.CVD
D.干氧氧化
最新試題
光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
題型：單項選擇題
一個四輸入的或非門，一般采用幾個pitch？（）
題型：單項選擇題
版圖繪制時一般用哪個圖層來實現(xiàn)器件連接？（）
題型：單項選擇題
如果想在電路圖模式下編輯符號，可以選擇以下哪個命令？（）
題型：單項選擇題
版圖繪制應該在哪個視圖中進行？（）
題型：單項選擇題
展現(xiàn)電路的邏輯電路連接的是哪種視圖模式?（）
題型：單項選擇題
集成電路版圖物理驗證必須要做的步驟主要有哪些？（）
題型：多項選擇題
CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。
題型：多項選擇題
氧化層中摻雜了硼雜質(zhì)，一般稱為（）。
題型：單項選擇題
外延雙阱工藝的優(yōu)點包括（）。
題型：多項選擇題