漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

明兩步擴散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點和目的。

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。

淀積擴散主要受哪些因素的控制？

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。

結(jié)電容是常量。