試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

點接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

試說明橫向擴散以及橫向擴散的主要影響。

薄層電阻

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）