淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？

結(jié)電容是常量。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）

明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

OED/ORD