問答題簡(jiǎn)述微芯片技術(shù)發(fā)展的主要趨勢(shì)
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1.問答題什么是關(guān)鍵尺寸（CD）？
3.單項(xiàng)選擇題
化學(xué)氣相淀積SiO2與熱生長(zhǎng)SiO2相比較，下面哪些說法是正確的：（）。
1.熱生長(zhǎng)SiO2只能在Si襯底上生長(zhǎng)；
2.CVD SiO2可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導(dǎo)體材料上；
3.CVD SiO2，襯底硅不參加反應(yīng)；
4.CVD SiO2，溫度低。
A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4
5.填空題雜質(zhì)原子（或離子）在半導(dǎo)體晶片中的擴(kuò)散機(jī)構(gòu)比較復(fù)雜，但主要可分為兩種機(jī)構(gòu)：替位式擴(kuò)散和（）式擴(kuò)散。
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
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消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
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光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
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摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題