摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

摻雜后，退火的目的是（）。