問(wèn)答題光刻技術(shù)中的常見(jiàn)問(wèn)題有那些？
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2.問(wèn)答題什么是光刻，光刻系統(tǒng)的主要指標(biāo)有那些？
3.問(wèn)答題以鋁互連系統(tǒng)作為一種電路芯片的電連系統(tǒng)時(shí)，若分別采用真空蒸鍍和磁控濺射工藝淀積鋁膜，應(yīng)分別從哪幾方面來(lái)提高其臺(tái)階覆蓋特性？
5.問(wèn)答題比較同等摻雜濃度多晶硅和單晶硅電阻率的大??？解釋不同的原因。
最新試題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題