問(wèn)答題試簡(jiǎn)述硅集成電路平面制造工藝流程中常規(guī)光刻工序正確的工藝步驟。
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1.問(wèn)答題什么是光刻，光刻系統(tǒng)的主要指標(biāo)有那些？
2.問(wèn)答題以鋁互連系統(tǒng)作為一種電路芯片的電連系統(tǒng)時(shí)，若分別采用真空蒸鍍和磁控濺射工藝淀積鋁膜，應(yīng)分別從哪幾方面來(lái)提高其臺(tái)階覆蓋特性？
4.問(wèn)答題比較同等摻雜濃度多晶硅和單晶硅電阻率的大小？解釋不同的原因。
最新試題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題