光刻工藝對準誤差包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。