單項(xiàng)選擇題滑石的化學(xué)通式為：（）。
A、BaCO3·MgCO3
B、BaCO3·Al2O3
C、3MgO·4SiO2·H2O
D、Al2O3·10H2O
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1.單項(xiàng)選擇題CaCO3·MgCO3是下列哪種礦物的分子式（）。
A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
2.單項(xiàng)選擇題黏土中混入的硫酸鹽主要是（）。
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
3.單項(xiàng)選擇題黏土中的氧化鎂含量應(yīng)小于（）。
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
4.單項(xiàng)選擇題在硅酸鹽水泥生產(chǎn)中，為便于配料又不摻硅質(zhì)校正原料，要求黏土質(zhì)原料的SiO2與Al2O3和Fe2O3之和之比最好為（）。
A、3.7-4.1
B、2.9-4.0
C、2.7-3.1
D、2.5-3.0
5.單項(xiàng)選擇題按照[SiO4]4-的連接方式，石英有三種存在狀態(tài)，870℃以下穩(wěn)定存在的是（）
A、方石英
B、單斜石英
C、石英
D、鱗石英
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題