單項選擇題下列各種玻璃系統(tǒng)中屬于硬質(zhì)玻璃的是:()
A、鈉鈣硅玻璃
B、鉛硅酸鹽玻璃
C、硼硅酸鹽玻璃
D、磷酸鹽玻璃
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1.單項選擇題下面關于介質(zhì)對玻璃侵蝕說法錯誤的是:()
A、濃酸對玻璃的侵蝕能力高于稀酸。
B、大氣對玻璃的侵蝕實質(zhì)上是水汽、CO2、SO2等作用的總和。
C、水氣比水溶液對玻璃具有更大的侵蝕性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化學穩(wěn)定性高。
2.單項選擇題玻璃退火點的粘度為:()
A、1013Pa·S
B、1011Pa·S
C、1012Pa·S
D、1010Pa·S
3.單項選擇題下列化學鍵中,容易形成玻璃的是:()
A.離子鍵
B.共價鍵
C.金屬鍵
D.極性共價鍵
4.單項選擇題玻璃網(wǎng)絡外體的單鍵能一般小于()
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
5.單項選擇題下列制品中,不是利用玻璃分相或析晶等原理制造的是:()
A、鋼化玻璃
B、微晶玻璃
C、多孔玻璃
D、高硅氧玻璃
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PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題