A、濃酸對(duì)玻璃的侵蝕能力高于稀酸。
B、大氣對(duì)玻璃的侵蝕實(shí)質(zhì)上是水汽、CO2、SO2等作用的總和。
C、水氣比水溶液對(duì)玻璃具有更大的侵蝕性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化學(xué)穩(wěn)定性高。
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A、1013Pa·S
B、1011Pa·S
C、1012Pa·S
D、1010Pa·S
A.離子鍵
B.共價(jià)鍵
C.金屬鍵
D.極性共價(jià)鍵
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
A、鋼化玻璃
B、微晶玻璃
C、多孔玻璃
D、高硅氧玻璃
A、85%
B、90%
C、95%
D、98%
最新試題
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()