懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）