多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

硅片拋光在原理上不可分為（）