制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

下列是晶體的是（）。 

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）