A.兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)
B.一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)
C.兩個(gè)暫穩(wěn)態(tài)
D.記憶二進(jìn)制數(shù)的功能
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圖示ROM陣列邏輯圖，當(dāng)?shù)刂窞锳1A0=10時(shí)，該字單元的內(nèi)容為（）
A.1l10
B.0111
C.1010
D.0100
圖示觸發(fā)器電路的特征方程Qn+1=（）
A.TQn+TQn
B.TQ+TQn
C.Q
D.T
A.全加器
B.存儲(chǔ)電路
C.譯碼器
D.選擇器
A.
B.
C.
D.
A.前者有 2 個(gè)穩(wěn)態(tài)，后者只有 1 個(gè)穩(wěn)態(tài)
B.前者沒(méi)有穩(wěn)態(tài)，后者有 2 個(gè)穩(wěn)態(tài)
C.前者沒(méi)有穩(wěn)態(tài)，后者只有 1 個(gè)穩(wěn)態(tài)
D.兩者均只有 1 個(gè)穩(wěn)態(tài)，但后者的穩(wěn)態(tài)需要一定的外界信號(hào)維持
最新試題
電路結(jié)構(gòu)如圖所示，該電路是（）。
如圖，此電路的輸入端I0_L是低電平有效，輸出A2A1A0是高電平有效，AVALID有效表示的是（）。
使用74HC138實(shí)現(xiàn)邏輯函數(shù)正確的是（）。
如圖電路實(shí)現(xiàn)的邏輯函數(shù)是（）。
要使CMOS門(mén)輸入高電平，不能使用的方法為（）。
TTL門(mén)電路具有負(fù)載能力強(qiáng)、抗干擾能力強(qiáng)和轉(zhuǎn)換速度高等特點(diǎn)。
?十進(jìn)制數(shù)22.37對(duì)應(yīng)的二進(jìn)制數(shù)是（）。
與模擬電路相比，數(shù)字系統(tǒng)的優(yōu)越性主要體現(xiàn)在（）。
關(guān)于集成塊的輸出單元，下列說(shuō)法中正確的是（）。
二進(jìn)制加法運(yùn)算包含的輸入、輸出變量有（）。