單項(xiàng)選擇題測量太陽電池的電學(xué)性能可以歸結(jié)為測量它的()。

A.光譜響應(yīng)
B.光學(xué)特性
C.伏安特性


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1.單項(xiàng)選擇題下列屬于制作非晶硅太陽電池常用的方法的是()。

A.三氯氫硅還原法
B.輝光放電法
C.硅烷熱分解法
D.四氯化硅還原法

2.單項(xiàng)選擇題制作太陽電池的工藝中不包括下列哪個方面()。

A.硅片表面準(zhǔn)備
B.制備防透膜
C.去背結(jié)
D.制結(jié)

3.單項(xiàng)選擇題下列不是硅片主要切片方法的是()。

A.外圓切割
B.內(nèi)圓切割
C.多線切割
D.單線切割

4.單項(xiàng)選擇題下面是直拉法生產(chǎn)單晶硅工藝流程圖正確順序的是()。

A.種晶—放肩—等徑—引晶
B.引晶—放肩—等徑—種晶
C.種晶—引晶—放肩—等徑
D.引晶—種晶—放肩—等徑

5.單項(xiàng)選擇題以下省份中,年平均日照射強(qiáng)度最高省份是()。

A.寧夏
B.河南
C.江蘇
D.海南

6.單項(xiàng)選擇題下面哪一項(xiàng)不屬于SiHCl3的提純的方法是()。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法

7.單項(xiàng)選擇題層壓組件時一般需要的時間為()。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘

10.單項(xiàng)選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過程中不需要控制()。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長速度
D.合成時加入少量的催化劑,可降低溫度

最新試題

異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。

題型:判斷題

電壓比較器的功能是,將一個模擬量輸入電壓,與一個參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。

題型:多項(xiàng)選擇題

使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會下降。

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反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時反相端對地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

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現(xiàn)有58個信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼,需要用8位二進(jìn)制代碼來表示。

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4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()

題型:單項(xiàng)選擇題

平衡電阻是保證了集成運(yùn)放兩個輸入端,靜態(tài)時外接電阻相等。

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6進(jìn)制異步清零,最后一個計(jì)數(shù)狀態(tài)應(yīng)該為()

題型:單項(xiàng)選擇題

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將任意一個無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進(jìn)入到這個循環(huán)狀態(tài),那么也就是說明,這個電路具有自起功能。

題型:判斷題