單項(xiàng)選擇題將硅錠切割成硅片的過程中，多線切割對(duì)硅片造成的損傷層的厚度約為（）μm。

A.10
B.20
C.5
D.15


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1.單項(xiàng)選擇題光伏電池組件電學(xué)特性測(cè)試中不必用到的設(shè)備是（）。

A.氣壓表
B.電流表
C.電壓表
D.滑動(dòng)變阻器

2.單項(xiàng)選擇題測(cè)量太陽電池的電學(xué)性能可以歸結(jié)為測(cè)量它的（）。

A.光譜響應(yīng)
B.光學(xué)特性
C.伏安特性

3.單項(xiàng)選擇題下列屬于制作非晶硅太陽電池常用的方法的是（）。

A.三氯氫硅還原法
B.輝光放電法
C.硅烷熱分解法
D.四氯化硅還原法

4.單項(xiàng)選擇題制作太陽電池的工藝中不包括下列哪個(gè)方面（）。

A.硅片表面準(zhǔn)備
B.制備防透膜
C.去背結(jié)
D.制結(jié)

5.單項(xiàng)選擇題下列不是硅片主要切片方法的是（）。

A.外圓切割
B.內(nèi)圓切割
C.多線切割
D.單線切割

6.單項(xiàng)選擇題下面是直拉法生產(chǎn)單晶硅工藝流程圖正確順序的是（）。

A.種晶—放肩—等徑—引晶
B.引晶—放肩—等徑—種晶
C.種晶—引晶—放肩—等徑
D.引晶—種晶—放肩—等徑

7.單項(xiàng)選擇題以下省份中，年平均日照射強(qiáng)度最高省份是（）。

A.寧夏
B.河南
C.江蘇
D.海南

8.單項(xiàng)選擇題下面哪一項(xiàng)不屬于SiHCl3的提純的方法是（）。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法

9.單項(xiàng)選擇題層壓組件時(shí)一般需要的時(shí)間為（）。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘